CVD/PVD设备：
像适配HDPCVD、PECVD等工艺的CM - 2086型号包氟圈，能耐受工艺中的高温与等离子体环境，密封反应腔体及气路接口，
防止硅烷等反应气体泄漏，且低金属离子析出，避免污染晶圆薄膜沉积质量。
蚀刻工艺设备：
干法蚀刻时，其可抵御等离子体侵蚀，密封蚀刻机腔体；湿法蚀刻中，CM - 2886等型号能耐受氢氟酸等腐蚀性化学品，
用于密封反应槽与管线接头，保障蚀刻精度不被密封失效影响。
高温热处理设备：
CM - 2980型号可在300℃下连续工作，适配植入退火、快速热制程等场景，密封扩散炉、氧化炉的炉体法兰，
在反复温变中保持密封性，避免热量流失和外部杂质侵入。
辅助系统及其他设备：
一方面用于高纯度气体输送管道接口和真空阀门处，契合SEMI F57认证的低析出要求，防止气体泄漏和污染；
另一方面还可用于光刻机的溶剂环境，凭借高洁净性避免污染光刻胶，保障光刻环节的精密性