核心应用场景：
主要用于外延炉、等离子刻蚀机、CVD设备的法兰接口、腔体门及管道连接处。在晶圆外延生长和薄膜沉积时，
它能密封设备腔体，维持高真空环境，避免空气进入影响晶圆成膜质量；刻蚀环节中，可抵御卤素等离子体侵蚀，
防止腐蚀性气体泄漏，保障工艺稳定。
适配工艺优势：
密封压力可达10 - 100MPa，泄漏量≤1×10⁻¹⁰Pa・m³/s，适配半导体工艺的高压需求，压力波动时也能稳定密封。
其耐温范围覆盖 - 200℃ - 600℃，可耐受设备加热冷却循环的温度变化，且无纤维、颗粒脱落，契合半导体洁净生产标准，
避免污染晶圆。
实用特性与维护：
使用寿命达5 - 8年，是传统密封垫片的4 - 5倍，能减少半导体生产线停机换件频次。拆卸后若密封面无损伤，
清洁后可重复使用10次以上，降低半导体高成本生产的维护开支。
适配技术演进：
随着晶圆向12英寸及更先进工艺升级，高精度金属C形环通过精密加工控制尺寸误差，
适配新型设备的窄法兰槽结构；针对碳化硅等化合物半导体的极端工艺，专用合金材质的C形环还可提升耐温上限，
匹配更高要求的密封需求。